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Globalfoundries: 14nm-XM Herstellungsprozess mit deutlicher Stromersparnis

Globalfoundries: 14nm-XM Herstellungsprozess mit deutlicher Stromersparnis
Globalfoundries: 14nm-XM Herstellungsprozess mit deutlicher Stromersparnis
Der amerikanische Chiphersteller Globalfoundries hat unter dem Namen 14nm-XM ein neuen Herstellungsprozess vorgestellt, der für mobile SoCs (System-on-a-Chip) gedacht ist. Durch die geringere Strukturbreite und die sogenannten FinFET-Transitoren soll eine um bis zu 60 Prozent längere Akkulaufzeit möglich werden.

Speziell für Smartphones und Tablet hat Globalfoundries (ehemals Teil von AMD) einen neuen Herstellungsprozess vorgestellt, der auf einer Strukturbereite von 14 Nanometern setzt. Aus diesem Grund trägt dieser auch den Namen 14nm-XM, wobei das Kürzel „XM“ für „eXtreme Mobility“ steht. Damit wird deutlich, dass es sich um eine SoC-Lösung für mobile Endgeräte handelt. Neben der geringeren Strukturbreite sind die 3D-FinFET-Transitoren ein ausschlaggebender Punkt. Die ersten Chips für Endgeräte mit 3D-Transistoren kamen dieses Jahr von Intel unter dem Namen „Ivy Bridge“ beziehungsweise der dritten Generation der Intel Core-Prozessoren auf den Markt. Hierbei ist allerdings zu sagen, dass es sich um unterschiedliche Einsatzgebiete handelt.

Das Grundprinzip ist dabei recht simpel. Anstatt einer zweidimensionalen Struktur steht nun eine Finne aus Silizium oben auf, die sich Field-Effect-Transistor (FET) nennt, woraus sich dann der Begriff „FinFET“ ableitet. Die Hauptvorteile dieser Bauart sind eine höhere Leistung bei Beanspruchung oder eine bessere Energieeffizienz. Globalfoundries spricht in diesem Bezug von einer 40 bis 60 Prozent längeren Akkulaufzeit durch den neuen Fertigungsprozess. Als Vergleichbasis wurden aktuelle 20 Nanometer Chip ohne FinFETs herangezogen.

Der Chipriese Intel hat auf dem IDF 2012 auch erste Anhaltspunkte zur eigenen 14-Nanometer-Fertigung auf einer Roadmap gezeigt. Ende 2013 soll deren Entwicklung in diesem Bereich abgeschlossen sein.

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Autor: Felix Sold, 24.09.2012 (Update: 27.09.2012)