Samsung: Galaxy S8 mit bis zu 8 GB RAM und UFS 2.1?

Das Gerücht, dass Samsung sein kommendes Flaggschiff Galaxy S8 mit bis zu 8 GB RAM ausstatten könnte, kam schon vor einigen Wochen auf, wobei die meisten Analysten bisher eher von maximal 6 GB Arbeitsspeicher und 256 GB Speicher ausgegangen sind. Ein User auf Weibo mit dem  Usernamen Ice Universe, stärkte nun wieder die 8 GB-Fraktion und meinte kürzlich, dass Samsung seinen eigenen neuen 8 GB RAM-Chip auf Basis der 10 nm-Fertigungstechnologie verbauen wird und zusätzlich auf schnelleren UFS 2.1 Speicher setzen wird. Im Galaxy S7 wird UFS 2.0 Speicher eingesetzt. 

Bisher ist "Ice Universe" mehrmals mit korrekten Vorhersagen in Bezug auf zukünftige Samsung-Geräte aufgefallen, dennoch handelt es sich hierbei mangels Beweis bislang um nichts mehr als ein Gerücht, wobei es tatsächlich bereits entsprechende RAM-Module mit 8 GB gibt. Kürzlich hat neben Samsung auch SK Hynix ein entsprechendes Modul vorgestellt, welches allerdings im Gegensatz zu Samsung's Modulen noch im 21 nm-Verfahren produziert wird.

Quelle(n)