Bandbreite vs IOPS vs Effizienz: Samsung entwickelt drei neue NAND-Speicher für KI-Anwendungen

Dieser Speicher wurde speziell für lokale KI-Anwendungen konzipert. Für verkürzte Datenwege, bessere Geschwindigkeiten und Energieeffizienz werden die NAND-Chips in vier oder acht Schichten übereinandergestapelt, die Kopplung erfolgt via TSV-Verbindungen. Hier ist die Leistung etwas weniger wichtig als die Effizienz, KI-Anwendungen sollen mit möglichst geringem Strombedarf lokal ausgeführt werden.

Bei dieser Variante richtet sich das Konzept eher an leistungsfähige KI-Rechenzentren, deshalb ist der Flash auf besonders hohe Datenmengen pro Zeiteinheiten ausgelegt. Ein Stichwort ist hier High Bandwith Flash (HBF). Letztlich wollen hier große Datenmengen möglichst schnell übertragen werden.

Hierbei liegt der Schwerpunkt auf besonders hohen IOPS-Werten, also Input/Output Operations Per Second. Das ist vor allem für die KI-Inferenz wichtig, wenn ganz viele kleine Datenzugriffe schnell verarbeitet werden müssen.

Nur zNAND-O wurde bereits öffentlich vorgestellt. Die anderen beiden Systeme sind hingegen nicht offiziell bestätigt, sondern befinden sich noch in der frühen Entwicklungsphase.

Samsung kopiert damit die Strategie von Konkurrent SK Hynix, der ebenfalls auf drei spezialisierte NAND-Formen setzt. Langfristig könnte dieser Ansatz den Wettbewerb im KI-Speichermarkt verschärfen und die Bedeutung von NAND-Speicher über klassische SSD-Anwendungen hinaus erweitern.