SanDisk fertigt erste 3D-Matrix-Speicherchips, die die Kosten halbieren könnten

SanDisk hat ein kleines, aber bedeutendes Update zu seinem experimentellen 3D Matrix Memory veröffentlicht. Demnach sind die ersten Chips der neuen Speichertechnologie auf standardmäßigen 300-mm-Siliziumwafern gefertigt und für weitere Tests in Gehäuse integriert worden. Laut dem Unternehmen können die Prototypen bereits mehrere Gigabit an Daten speichern, zudem nähern sich ihre Leistungswerte den für das Endprodukt vorgesehenen Spezifikationen.

3D Matrix Memory wird seit 2017 als mögliche Alternative zu herkömmlichem DRAM entwickelt, basiert jedoch auf einer grundlegend anderen dreidimensionalen Struktur. Laut SanDisk könnte die Technologie langfristig eine vergleichbare Leistung bei bis zu vierfacher Speicherkapazität bieten. Zudem sollen sich die Kosten pro Bit gegenüber herkömmlichem DRAM halbieren.

Die neuesten Prototypen basieren auf einem Testchip, den SanDisk im vergangenen Jahr gemeinsam mit seinem Forschungspartner Imec entwickelt hat. Inzwischen hat das Unternehmen damit begonnen, mehrere Speicherschichten zu stapeln und Prototypen auf 300-mm-Wafern zu fertigen. Die verpackten Chips werden nun weiteren Tests unterzogen. Laut SanDisk haben die Versuche bereits funktionsfähige Speicherarrays mit mehreren Gigabit Kapazität hervorgebracht. Auch die Leistung liege bereits sehr nahe an den Zielwerten für ein mögliches Endprodukt.

Über eine kommerzielle Markteinführung spricht SanDisk derzeit noch nicht. Technikchef Alper Ilkbahar hat darauf hingewiesen, dass 3D Matrix Memory ein langfristiges Projekt bleibt und bis zur Marktreife noch viel Zeit vergehen könnte. Alper Ilkbahar erklört:

Es geht voran, doch das Projekt ist langfristig angelegt. Wir werden weiterhin über unsere Fortschritte informieren.

SanDisks neuester Entwicklungsplan enthält nur wenige Details zu den nächsten Schritten. In einer früheren Version waren Muster mit 32 bis 64Gbit vorgesehen, ein Zeitplan für deren Verfügbarkeit ist jedoch nicht genannt worden.

Derzeit ist 3D Matrix Memory eher ein Forschungsprojekt als ein realistischer DRAM-Ersatz für die nahe Zukunft. Die Fertigung mehrschichtiger Prototypen auf standardmäßigen 300-mm-Wafern, der Nachweis funktionsfähiger Speicherarrays mit mehreren Gigabit Kapazität und die Annäherung an die angestrebten Leistungswerte stellen dennoch einen bedeutenden Fortschritt bei SanDisks langjährigen Bemühungen um einen neuen Speicher mit hoher Dichte dar.

SanDisk arbeitet außerdem an einer weiteren fortschrittlichen Speichertechnologie namens High Bandwidth Flash (HBF). Anders als 3D Matrix Memory führt HBF keine vollständig neue Speicherarchitektur ein, sondern stapelt im Wesentlichen herkömmliche NAND-Chips, um die Bandbreite zu erhöhen. Dieses Projekt ist deutlich näher an der kommerziellen Nutzung. Laut SanDisk ist der Tape-out des ersten HBF-Designs abgeschlossen. Erste Muster sollen im kommenden Jahr zur Validierung verfügbar werden.