Samsung: Massenproduktion für 128 GByte Embedded-NAND und 2 GByte LPDDR3 gestartet

Wie Samsung heute bekannt gab, hat der Elektronikriese mit der Massenproduktion seines "Embedded Memory" mit 128 GByte für Smartphones, Tablets und andere Mobilgeräte sowie seinem 2 GByte LPDDR3-Speicher (Low Power Double-Data-Rate 3) in 30-nm-Technologie begonnen.

Seine neuen eMMC (embedded Multimedia Card) Pro Class 1500 mit 128 GByte bringt Samsung in ein extrem schlanken 12 x 16 Millimeter messenden FBGA-Gehäuse unter, das moderne und flachere Mobilgerätedesigns ermöglicht. Laut Samsung finden auf dem eMMC Pro Class 1500 des neuen Embedded-Memory-Storage, das künftig in Mobiltelefonen und Tablets zu finden sein wird, bis zu 15 FullHD-Videos Platz.

Samsungs eMMC-Pro-Karten lesen Daten sequenziell mit bis zu 140 MB/s und schreiben Daten mit bis zu 50 MB/s - fünf Mal schneller als externe Class-10-Memory-Karten. Für wahlfreies Lesen und Schreiben kann das eMMC bis zu 3.500 respektive 1.500 IOPS verarbeiten. Für die Module nutzt Samsung NAND-Memory mit 64 GBit.

Auf dem IDF 2012 hatte Samsung auch sein stromsparendes LPDDR3-RAM gezeigt, für das der Elektronikriese nun ebenfalls die Massenproduktion angekündigt hat. Die 2 GByte LPDDR3-Chips (30 nm) wurden ebenfalls für den Einsatz in Mobilgeräten der nächsten Generation konzipiert. Die LPDDR3-Chips können Daten mit bis zu 1.600 Mbps pro Pin übertragen und sind laut Samsung somit etwa um 50 Prozent schneller als LPDDR2-DRAM. Auf Package-Level ist eine Datenübertragungsrate bis 12,8 GB/s möglich.

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