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Elpida: Erste DDR3-Notebookspeicher mit 4 GByte aus 30-nm-Fertigung

Elpida beginnt mit der Auslieferung von ersten Mustern seiner SO-DIMM DDR3-Notebookspeicher mit 4 GByte in 30-nm-Struktur.

Der japanische DRAM-Spezialist Elpida Memory, Inc. hat mit der Auslieferung erster Muster seiner in 30-nm-Struktur gefertigten und neu entwickelten DDR3-SO-DIMM-Module mit 4 GByte für Notebooks begonnen. Die Module bestehen aus 16 Chips mit 2-Gigabit-DDR3-SDRAMs.

Laut Elpida verbrauchen die neuen Speicherchips im Vergleich zu den eigenen 40-nm-DRAMs im Betrieb 20 Prozent weniger Strom und im Standby-Modus 30 Prozent weniger. Die neuen Module bieten laut Elpida eine Datentransferrate von 1.866 Megabit pro Sekunde (Mbps). Als Versorgungsspannung benötigen die 30-nm-CMOS 1,5 Volt.

Die Notebookspeicher kommen als 204-Pin-Module (SO-DIMM). Elpida will mit der Massenproduktion der 4-GByte großen DDR3-SO-DIMMs im 1. Quartal 2011 beginnen.

 

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Autor: Ronald Tiefenthäler, 24.12.2010 (Update:  9.07.2012)
Ronald Matta
Ronald Matta - Senior Editor News - @RonaldTi
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