Das brandneue Xiaomi 15S Pro und das Xiaomi Pad 7 Ultra sind die ersten Geräte der Welt, die mit dem Xiaomi XRing 01 ARM-Chip ausgestattet sind. Der Prozessor soll Flaggschiff-Performance liefern, was angesichts der Ausstattung auch gelingen sollte, denn Xiaomi verbaut gleich zwei ARM Cortex-X925 Prime-Kerne mit Boost-Taktfrequenzen bis 3,9 GHz sowie vier Cortex-A725 Performance-Kerne, die Taktraten bis 3,4 GHz erreichen. Zwei Cortex-A725 und zwei Cortex-A520, die jeweils nur recht geringe Taktraten von unter 2 GHz erreichen, fungieren als Effizienz-Kerne.
Dazu kommt ein ARM Immortalis-G925 Grafikchip mit gleich 16 Kernen. Wie der direkte Vergleich mit dem MediaTek Dimensity 9400 zeigt, sollte der XRing 01 deutlich schneller sein, da Xiaomi auf dieselbe GPU setzt, aber 4 zusätzliche Kerne verbaut, und auch der Prozessor besitzt sowohl mehr Kerne als auch höhere Taktfrequenzen. Der Google Tensor G4 ist durch seine veraltete Ausstattung keine echte Konkurrenz. Lediglich der Vergleich zum Qualcomm Snapdragon 8 Elite wird spannend, da Qualcomm anders als Xiaomi, MediaTek und Google nicht nur ARM Cortex-CPU-Kerne lizenziert, sondern eigene Oryon-Kerne entwickelt hat.
So sehen die Spezifikationen im Vergleich zur Konkurrenz aus:
| Xiaomi XRing 01 | Qualcomm Snapdragon 8 Elite | MediaTek Dimensity 9400 | Google Tensor G4 | |
|---|---|---|---|---|
| CPU | 2x X925 - 3,9 GHz 4x A725 - 3,4 GHz 2x A725 - 1,9 GHz 2x A520 - 1,8 GHz | 2x Oryon Prime - 4,32 GHz 6x Oryon Performance - 3,53 GHz | 1x X925 - 3,6 GHz 3x X4 - 3,3 GHz 4x A720 - 2,0 GHz | 1x X4 - 3,1 GHz 3x A720 - 2,6 GHz 4x A520 - 1,9 GHz |
| GPU | Immortalis-G925 / 16 Kerne | Adreno 830 | Immortalis-G925 / 12 Kerne | Mali-G715 / 7 Kerne |
| Fertigung | 3 nm | 3 nm | 3 nm | 4 nm |
Laut Xiaomi erreicht der XRing 01 knapp über 3 Millionen Punkte in AnTuTu V10, womit die meisten Flaggschiffe am Markt übertroffen werden können, aktiv gekühlte Gaming-Smartphones mit Snapdragon 8 Elite können aber noch minimal schneller sein. Der Xiaomi XRing 01 misst 109 mm², die Fertigung erfolgt bei TSMC in einem 3-nm-Verfahren der zweiten Generation. Der Chip unterstützt Wi-Fi 7, schnellen UFS 4.1 Flash-Speicher, LPDDR5T-Arbeitsspeicher und USB-C 3.2 Gen 2 mit Datenraten bis 10 Gbit/s.


















