54,3-Billionen-Won-Fabrik-Plan von SK Hynix keine Garantie für sinkende RAM-Preise

Der Vorstand von SK Hynix hat am 7. August Investitionen von rund 54,3 Billionen Won (etwa 33,2 Milliarden Euro) für zwei neue Halbleiterfabriken genehmigt: 35,2 Billionen Won (rund 21,5 Milliarden Euro) für Yongin „Y2“ und 19,1 Billionen Won (rund 11,7 Milliarden Euro) für Cheongju „M17“. Y2 ist als DRAM-Standort vorgesehen, M17 als NAND-Standort. Die genannten Summen decken dabei lediglich die Baukosten ab. Allein die Ausstattung von Y2 könnte zusätzlich bis zu 120 Billionen Won (rund 73,3 Milliarden Euro) kosten und die Gesamtkosten damit auf mehr als 150 Billionen Won (etwa 91,6 Milliarden Euro) treiben.

Wer in letzter Zeit nach den Preisen für ein 32-GB-DDR5-Kit geschaut hat, könnte darin zunächst ein Zeichen für Entspannung sehen. Die Zeitplanung zeichnet jedoch ein ganz anderes Bild. M17 soll seinen ersten Reinraum im Dezember 2028 eröffnen, Y2 im Juni 2029. Mit dem Bau von Y2 wird sogar erst im Juli 2027 begonnen. Die Eröffnung eines Reinraums bedeutet zudem lediglich, dass mit der Installation und Qualifizierung der Produktionsanlagen begonnen werden kann – nicht, dass unmittelbar Chips ausgeliefert werden. Deutlich näher liegt der Meilenstein Y1, dessen Fertigstellung für etwa Februar 2027 vorgesehen ist. Die Installation der Anlagen soll anschließend im zweiten Quartal beginnen.

Eine konkrete Formulierung in der Mitteilung von SK Hynix ist dabei sogar noch wichtiger als die Höhe der Investition. Der Halbleiterhersteller erklärt, dass die Fabriken zwar nach dem vorgesehenen Zeitplan gebaut werden, die Reinräume und Produktionsanlagen jedoch schrittweise und abhängig von der Nachfrage erweitert beziehungsweise installiert werden sollen, um die Kapitaleffizienz zu maximieren.

Anders gesagt: SK Hynix errichtet die Gebäude frühzeitig, hält sich mit den wesentlich höheren Investitionen in die Produktionsanlagen jedoch zurück, bis eine entsprechende Nachfrage tatsächlich vorhanden ist. Y1 soll in sechs Reinräume aufgeteilt werden und bis zur ersten Hälfte des Jahres 2030 eine Produktionskapazität von 360.000 DRAM-Wafern pro Monat erreichen.

Auch der geplante Produktmix spricht nicht unbedingt für Verbraucher. Y2 soll unter anderem High-Bandwidth Memory und weitere DRAM-Produkte der nächsten Generation fertigen. Gerade die hohe Nachfrage nach HBM hat dazu beigetragen, dass klassische DDR5-Produkte aus den Fabriken verdrängt wurden. Aktuell entfallen bei SK Hynix rund 30 Prozent der DRAM-Waferkapazität auf HBM. Analysten erwarten, dass dieser Anteil bis 2027 auf nahezu 40 Prozent steigen könnte.

Am deutlichsten wird die Lage durch die eigene Einordnung von SK Hynix. Das Unternehmen bezeichnet die Entwicklung als „strukturellen Wandel“ und nicht als vorübergehenden Superzyklus. Dabei verweist SK Hynix auf Prognosen von Omdia, wonach DRAM und NAND bis 2030 jährlich um 19 Prozent wachsen sollen. Das bedeutet im Kern, dass der Hersteller die heutigen Preise eher als neue Ausgangsbasis betrachtet und seine Kapazitäten entsprechend plant.