China entwickelt erfolgreich Prototyp einer EUV-Maschine

Laut einem Bericht von Reuters hat China in einem Labor in Shenzhen erfolgreich eine EUV-Lithographiemaschine (Extreme Ultraviolet) entwickelt. Das Projekt wurde demnach von mehreren ehemaligen Ingenieuren des Branchenführers ASML unterstützt. Diese Entwicklung bestätigt frühere Gerüchte und stellt einen bedeutenden Durchbruch für die Halbleiterindustrie Chinas dar.

Chinesische Foundries wie SMIC könnten damit künftig theoretisch fortschrittliche Chips produzieren, die mit der Technologie von TSMC, Intel und Samsung konkurrieren. Das Projekt soll unter strengster Geheimhaltung durchgeführt worden sein, wobei die ehemaligen Ingenieure Berichten zufolge unter Decknamen arbeiteten.

Allerdings ist die EUV-Maschine derzeit noch nicht für die Massenproduktion von Chips geeignet. Experten gehen davon aus, dass sie erst 2028 oder möglicherweise sogar erst 2030 voll einsatzfähig sein wird. Bis dahin dürfte die Konkurrenz bereits auf High-NA-EUV umgestiegen sein, die nächste Generation der Lithografie-Technologie von ASML.

Zudem stellt die Skalierung der Produktion eine enorme Herausforderung dar: Da die offizielle Unterstützung von ASML fehlt, muss China die gesamte Lieferkette im eigenen Land aufbauen. Darüber hinaus ist das Land darauf angewiesen, Gebrauchtteile von verschiedenen Zulieferern wie Nikon und Canon zu beziehen.

Bisher musste sich China auf DUV-Maschinen (Deep Ultraviolet) der letzten Generation verlassen, da es die einzigen Geräte sind, die es legal von ASML erwerben darf. Mit dem N+3-Node trieb SMIC die DUV-Technik jedoch bereits weit über ihre Grenzen hinaus, um Chips der 5-Nanometer-Klasse, wie den Kirin 9030, zu fertigen.

Ein späteres Patent diskutierte sogar den Versuch, die DUV-Technik auf 2 Nanometer zu pushen. Durch den jüngsten EUV-Durchbruch wird dieser riskante Weg jedoch vermutlich hinfällig, da die Komplexität bei DUV zu hoch wäre und die Chip-Ausbeute katastrophal ausfallen würde.