SK Hynix und Samsung zeigen DDR5 RAM im Detail

Auf der International Solid-State Circuits Conference präsentieren Samsung und SK Hynix ihre Pläne für DDR5 RAM. Der DDR5-Standard befindet sich derzeit noch in der Entwicklung bei Jedec. Beim aktuellen Stand bietet DDR5 die doppelte Bandbreite und die doppelte Speicherdichte im Vergleich zu DDR4, die Energieeffizienz wurde ebenfalls verbessert.

SK Hynix hat einen 16 Gb 6,4 Gbit/s/pin Chip gezeigt, der bei 1,1 Volt läuft und 76,22 Quadratmillimeter misst. Samsung hingegen arbeitet an LPDDR5 SDRAM Chips, die bei 1,05 Volt laufen und Geschwindigkeiten von bis zu 7,5 Gbit/s/pin erreichen können. 

Jedec zufolge soll LPDDR5 eine I/O-Rate von 6.400 MT/s erreichen können, 50 Prozent mehr als die erste LPDDR4-Version. Während die exakten Spezifikationen noch nicht feststehen, soll LPDDR5 die Geschwindigkeit und Energieeffizienz für Smartphones, Tablets und Notebooks verbessern. Samsung ist nicht näher auf die Technik der Chips eingegangen. Da die Auslieferung aber schon gegen Ende des Jahres starten soll, darf man in einigen Monaten mit mehr Informationen rechnen.