Samsung: Produktionsstart für 512GB eUFS Smartphone-Speicher

Nach den auf dem UFS-2.1-Standard basierten Flash-Chips mit 64 und 128 GByte für die Automobilbranche hat Samsung jetzt den Beginn der Massenproduktion für seine ersten 512 GByte embedded Universal Flash Storage (eUFS) Speicherbausteine bekannt gegeben.

Der neue eUFS-Speicher basiert auf Samsungs aktuellen 64-Layer 512 Gb V-NAND-Chips. Die neuen 512-GB-eUFS-Module sollen die Speicherkapazitäten in den kommenden Flaggschiff-Smartphones und Tablets weiter in die Höhe treiben. Die neuen 512-GB-Chips treten damit die Nachfolge des 256-GB-eUFS-Speichers an, die der Branchenriese aus Südkorea im Februar 2016 gelauncht hatte.

Die 512-GB-eUFS-Bausteine bestehen aus acht Stapeln von Samsungs 64-Layer 512 Gb V-NAND-Chips und einem Controller. Die neuen Speichermodule bieten im Vergleich zur Vorgängergeneration den doppelten Speicher, bei gleicher Größe wie der 256-GB-eUFS, der auf 48-Layer 256 Gb V-NAND basiert.

In Kombination mit einem neuen integrierten Hochleistungscontroller sollen die 512 GByte eUFS-Speicherbausteine eine sequenzielle Lesegeschwindigkeit von bis zu 860 MB/s und eine Schreibgeschwindigkeit von bis zu 255 MB/s erreichen. Die zufällige Lesegeschwindigkeit beziffert Samsung mit 42.000 Ein- und Ausgabeoperationen pro Sekunde (IOPS) und einer Schreibgeschwindigkeit von 40.000 IOPS.

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