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Samsung: Neue SSD 850 Evo mit 3D V-NAND Speicher bis 1 TByte

Samsung: Neue SSD 850 Evo mit 3D V-NAND Speicher bis 1 TByte
Samsung: Neue SSD 850 Evo mit 3D V-NAND Speicher bis 1 TByte
Samsung hat seine neue SSD-Serie 850 Evo mit Speicherkapazitäten von 120 GByte bis 1 TByte vorgestellt. Die SSDs besitzen allesamt 3D-V-NAND Speicher, die Modelle mit 120, 250 und 500 GByte einen neuen MGX-Controller.

Samsung verspricht für den Nachfolger der SSD 840 Evo eine deutlich höhere Alltags-Performance sowie Effizienz. Zudem gewährt der Hersteller für die neue SSD 850 Evo Serie eine Garantiezeit von 5 Jahren, solange die zulässigen Gesamtschreibvolumina von 75 TByte TBW (Total Bytes Written) bei den SSD-Modellen mit 120 und 250 GByte sowie 150 TByte TBW bei den SSDs mit 500 GByte und 1 TByte nicht überschritten werden.

Die neue SSD 850 EVO Reihe ist gemäß Samsung ab Mitte Dezember 2014 für rund 91 Euro (120 GB), 137 Euro für das Modell mit 250 GByte, 247 Euro (500 GB) und knapp 457 Euro für das Kapazitätsmonster mit 1 TByte im Handel erhältlich. Bleibt abzuwarten, zu welchen Retailpreisen die neuen SSDs im Handel debütieren werden.

Auf der Technikseite orientiert sich die, je nach Modell zwischen rund 40 und 66 Gramm schwere SSD 850 Evo im 2,5-Zoll-Formfaktor, an der 850 Pro mit 3D-V-NAND-Flash. Die 850 Evo schreibt aber mit 3 Bit pro Zelle etwas mehr als die Pro-Variante mit 2 Bit. Bei den Ausführungen mit 120, 250 und 500 setzt Samsung einen MGX-Controller (Dualcore) ein, im 1-TByte-Modell bleibt es beim MEX-Controller mit 3 Kernen.

Als Eckwerte für die Performance und Leistung der SSD 850 Evo nennt Samsung sequenzielle Datenübertragungsraten von bis zu 540 MB/s (Lesen) sowie 520 MB/s beim Schreiben. Die Ein-und Ausgabeoperationen beziffert der Hersteller mit bis zu 98000 IOPS (Random Read) respektive 90000 IOPS für Random Writes. Weitere Details zu der neuen SSD 850 Evo Reihe finden sie in der Bilderstrecke unten.

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Autor: Ronald Tiefenthäler,  9.12.2014 (Update: 18.05.2021)