IDF 2012 San Francisco | 14-nm-Herstellungsprozess für Prozessoren ab 2013 auf Intels Roadmap

Intel Senior Fellow Mark Bohr hat auf dem IDF 2012 in San Francisco die Trends bei der Transistorentwicklung sowie die Roadmap für die künftigen Herstellungsprozesse und damit Prozessorgenerationen von Intel bekannt gegeben. Dank immer winziger werdenden Transistorstrukturen lassen sich immer kleinere Chips mit geringerem Energieverbrauch und geringeren Kosten pro Transistor herstellen.

Mit zunehmender Miniaturisierung der elektronischen Bauelemente in Form immer kleinerer Halbleiterstrukturen steigt aber auch der Anteil an unerwünschten elektrischen Leckströmen, die Intel aber mit "High-k Metal Gate"- und "3D-Tri-Gate"-Transistoren im derzeitigen Herstellungsprozess von 22 Nanometern gut im Griff hat.

Ende 2013 will Intel bereits die Entwicklung seiner nachfolgenden 14-nm-Herstellung mit den Codenamen "P1272" für CPUs und "P1273" für System-on-Chips (SoC) abgeschlossen haben. Gleichzeitig kündigte Intel ab 2014 die Entwicklung und Forschung für Strukturen von 10, 7 und 5 Nanometern an.

Die aktuelle und 3. Generation der Intel Core Prozessoren mit Codename Ivy Bridge basiert auf der 22-nm-Tri-Gate-Technologie und bringt es bei 4 Rechenkernen inklusive integrierter Prozessorgrafik auf satte 1,4 Milliarden Transistoren auf einer Die-Fläche von 160 mm².

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