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Intel: Neue 3D-Transistoren in 22 nm bringen Energieersparnis und mehr Rechenleistung

Teaser
Intels revolutionäre 3D-Tri-Gate-Transistoren in 22-nm-Fertigung kommen bereits in der nächsten Chipgeneration mit Codenamen Ivy Bridge zum Einsatz.
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Intel läutet mit seinen neuen Transistoren in 3D-Struktur und 22-nm-Fertigung eine Revolution hinsichtlich Energieersparnis und Schaltgeschwindigkeiten bei der Chipfertigung ein. Transistoren sind die Grundlage moderner Elektronik und finden sich heute überall. Ob in elektronischen Chips für Autos, Computer, Mobiltelefone, medizinische Geräte oder Unterhaltungselektronik – ohne Transistoren funktioniert heute quasi nichts mehr.

Die kommenden Intel Core Prozessoren, basierend auf Ivy Bridge, werden die ersten Chips sein, die Intels revolutionäre 3D-Tri-Gate-Transistoren mit 22 nm Strukturgröße in Massenproduktion nutzen. 6 Millionen dieser Tri-Gate-Transitoren würden in dem Punkt am Ende dieses Satzes Platz finden. Laut Intel ist der Marktstart für Ivy Bridge bereits zum Ende diesen Jahres vorgesehen.

Im Vergleich zu aktuellen flachen 2D-Transistoren in 32 Nanometern benötigen die 3D-Tri-Gate-Transistoren in 22 nm weniger Schaltstrom, stellen dabei aber bis zu 37 Prozent mehr Schaltgeschwindigkeit zur Verfügung. Prozessoren mit 3D-Tri-Gate-Transistoren sollen sich damit auch für den Einsatz in kleinen tragbaren Geräten prädestinieren. Bei gleicher Rechenleistung halbiert sich der der Strombedarf der Tri-Gate-Schalter im Vergleich zu den 32-nm-Pendants.

Laut Mark Bohr werden die neuen 3D-Tri-Gate-Transistoren nicht nur in den Desktop- und Notebook-Versionen von Ivy-Bridge-CPUs zum Einsatz kommen, sondern auch in einer neuen Generation von Atom-Prozessoren. Intel hat die Tri-Gates im Rahmen von Forschung und Entwicklung bereits im Jahr 2002 vorgestellt und fährt nun mit der ersten Generation seiner Tri-Gate-Transistoren für die industrielle Massenproduktion die Ernte ein.

Eine schematische Darstellung eines Transistors in 32 nm im Vergleich zu einem 22-nm-Transistor. Auf der linken Seite ist ein konventioneller flacher 32-nm-Transistor zu sehen, bei dem der Strom (gelbe Punkte) auf einer flachen Bahn unter dem Gate fließt. Auf der rechten Seite dann Intels 3D-Tri-Gate-Transistor, bei dem der Strom auf einer vertikalen Bahn (wie bei einer „Finne“) an 3 Flächen geführt werden kann.

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Ronald Matta
Ronald Matta - Senior Editor News - 13174 Artikel auf Notebookcheck veröffentlicht seit 2007
Seit 2007 bin ich Redakteur bei Notebookcheck.com. Als freier Autor schreibe ich auch für andere Print- und Onlinemedien inklusive der Lokalpresse. Vor meiner journalistischen Tätigkeit arbeitete ich als gelernter Netzwerktechniker und Fotograf unter anderem in der Planung und Projektierung von Firmennetzwerken sowie als Modefotograf in Mailand. Neben meiner Leidenschaft für Technik und Wissenschaft schlägt mein Herz als ehemaliger Leistungssportler für alle Arten von sportlichen Outdooraktivitäten. Thematisch interessiere ich mich besonders für die Bereiche Video/Foto, Smart Home und Wearables.
Kontakt: @RonMatta
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> Notebook Test, Laptop Test und News > News > Newsarchiv > Newsarchiv 2011 05 > Intel: Neue 3D-Transistoren in 22 nm bringen Energieersparnis und mehr Rechenleistung
Autor: Ronald Tiefenthäler,  4.05.2011 (Update: 18.05.2021)