Qualcomm Snapdragon 875: Ein neuer Benchmark-Leak deutet auf einen knappen Sieg gegen den Kirin 9000

Erst kürzlich hat ein Benchmark-Leak angedeutet, dass der Samsung Exynos 2100 die Leistung des Qualcomm Snapdragon 875 übertreffen könnte, nun hat der bekannte Leaker Digital Chat Station auf dem chinesischen sozialen Netzwerk Weibo neue Benchmark-Ergebnisse geteilt, die einen weiteren Einblick in die Performance von Qualcomms Flaggschiff-SoC der nächsten Generation bieten.

Dabei handelt es sich um einen Smartphone-Prototyp, der auf einen Chip mit dem Codenamen "Lahaina" setzt – ein klarer Hinweis auf den Qualcomm-SoC, denn Lahaina ist ein Ort auf Hawaii, und der Chip wird voraussichtlich am 1. Dezember in Hawaii offiziell vorgestellt. Der SoC soll wie erwartet auf einen großen und leistungsstarken ARM Cortex-X1-Prozessorkern sowie auf drei Cortex-A78-Rechenkerne setzen, bei der GPU dürfte die aktuellste ARM Mali-G78 zum Einsatz kommen.

Der Prozessor erreicht dabei Taktfrequenzen von bis zu 2,84 GHz, der Prototyp ist mit 12 GB Arbeitsspeicher ausgestattet. Das Benchmark-Ergebnis von 899.401 Punkten kann sich durchaus sehen lassen, zumindest verglichen mit dem direkten Vorgänger, denn der Snapdragon 865 kommt auf "nur" 820.220 Punkte.

Deutlich knapper fällt der Vergleich mit dem HiSilicon Kirin 9000 aus dem Huawei Mate 40 Pro (ca. 1.200 Euro auf Amazon) aus, der immerhin 875.308 Punkte erreicht – obwohl dabei nur ältere Cortex-A77-Prozessorkerne zum Einsatz kommen. Die CPU-Leistung vom Huawei-Chip fällt dabei mit 275.862 vs. 333.269 Punkten tatsächlich deutlich geringer aus, die Grafikleistung liegt dank der Mali-G78-GPU mit 24 Kernen knapp vorne.

Dabei darf man allerdings nicht vergessen, dass es sich hierbei um einen Prototypen des Snapdragon 875 handelt, der finale Chip mit den fertigen Treibern könnte ein noch besseres Ergebnis erzielen. Der Kampf um die Performance-Krone bleibt weiterhin spannend, vor allem der Samsung Exynos 2100 könnte Qualcomm einen harten Kampf liefern.