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2 nm bis 2024: Intel will mit neuen Bezeichnungen und ambitionierten Plänen gegen TSMC bestehen

Intel hat ambitionierte Pläne, um in wenigen Jahren zu TSMC aufzuschließen. (Bild: Intel)
Intel hat ambitionierte Pläne, um in wenigen Jahren zu TSMC aufzuschließen. (Bild: Intel)
Intel gewährt einen spannenden Einblick in die Entwicklungen der nächsten Jahre. Der Konzern will schon im Jahr 2024 Produkte mit einer Strukturbreite von 2 nm fertigen, bis dahin sollen neue Bezeichnungen für bestehende Strukturbreiten den Vorsprung von TSMC kleiner erscheinen lassen.
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Intel hat heute weitreichende Informationen zu den Zukunftsplänen des Unternehmens verraten. Allen voran gibt es eine Roadmap, die ambitionierte Pläne zeigt. Diese enthält eine ganze Reihe neuer Bezeichnungen – auf die Nanometer-Angabe der Strukturbreite will Intel offenbar verzichten, vermutlich nicht zuletzt, weil TSMC in diesem Bereich derzeit schlicht einen zu großen Vorsprung hat.

10 nm Enhanced SuperFIN wird künftig also als "Intel 7" vermarktet, während der nächste Schritt in Intels Fertigungs-Plänen nicht mehr als 7 nm, sondern als "Intel 4" beworben wird. Das mag auf den ersten Blick wie ein plumper Versuch wirken, den eigenen Rückstand durch neue Marketing-Begriffe auszugleichen. Das Problem mit der Nanometer-Angabe ist aber, dass diese von jeder Foundry anders ermittelt wird. Wie die unten eingebettete Tabelle zeigt erreicht Intels 10 nm SuperFIN-Fertigung tatsächlich eine höhere Transistordichte als TSMCs 7 nm-Fertigung.

Transistordichte (MTr/mm2)IntelTSMCSamsung
14 nm44,6728,8833,32
10 nm100,7652,5151,82
7 nm237,18*91,2095,08
5 nm171,30
3 nm292,21*

*geschätzte Transistordichte. Quelle: AnandTech
 

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Ab einer Strukturbreite von 2 nm will Intel die Nanometer-Angabe durch Ångström ersetzen, einer Maßeinheit, die einem zehnmillionsten Teil eines Millimeter entspricht. Die Umrechnung ist denkbar einfach – 1 nm entspricht 10A, sodass Intels 2 nm-Fertigung als Intel 20A vermarktet wird.

Diese soll planmäßig bereits im Jahr 2024 fertiggestellt werden, und zwar mit einer brandneuen RibbonFET-Transistor-Architektur und mit einer neuen PowerVia-Technologie. PowerVia soll es ermöglichen, die Stromversorgung auf der Rückseite eines Chips zu realisieren, wodurch höhere Frequenzen und ein geringerer Energieverlust ermöglicht werden.

RibbonFET ersetzt dagegen Intels FinFET-Transistoren, die im Jahr 2012 eingeführt wurden. Die neue Architektur ist platzsparender, effizienter und damit letztendlich leistungsstärker. Zu den ersten Kunden, die Chips in Intels 20A-Verfahren fertigen werden, gehört Qualcomm.


Kunden müssen aber nicht bis 2024 warten, um von Intels Fortschritten zu profitieren – Intel 7, bislang bekannt als 10 nm Enhanced SuperFIN, soll eine 10 bis 15 Prozent höhere Performance pro Watt ermöglichen. Intels Alder Lake-Prozessoren, die im Herbst 2021 auf den Markt kommen, werden bereits in diesem Verfahren gefertigt. 

Intel 4, zuvor bekannt als Intel 7 nm, soll eine um 20 Prozent bessere Leistung pro Watt bieten als Intel 7. Die Produktion soll in der zweiten Hälfte 2022 anlaufen, Kunden können voraussichtlich im Jahr 2023 in Form von Intel Meteor Lake von der neuen 7 nm EUV-Fertigung profitieren. Intel 3 folgt in der zweiten Jahreshälfte 2023 mit einer nochmals um 18 Prozent verbesserten Performance pro Watt.

Quelle(n)

Intel

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Hannes Brecher
Hannes Brecher - Senior Tech Writer - 7087 Artikel auf Notebookcheck veröffentlicht seit 2018
Seit dem Jahr 2009 schreibe ich für unterschiedliche Publikationen im Technologiesektor, bis ich im Jahr 2018 zur News-Redaktion von Notebookcheck gestoßen bin. Seitdem verbinde ich meine langjährige Erfahrung im Bereich Notebooks und Smartphones mit meiner lebenslangen Leidenschaft für Technologie, um unsere Leser über neue Entwicklungen am Markt zu informieren. Mein Design-Hintergrund als Art Director einer Werbeagentur erlaubt mir darüber hinaus tiefe Einblicke in die Eigenheiten dieser Branche.
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Autor: Hannes Brecher, 26.07.2021 (Update: 26.07.2021)