TSMCs 2 nm GAA-Fertigung ist ihrem Zeitplan voraus

Einem neuen Bericht von DigiTimes zufolge soll TSMC dem eigenen Zeitplan voraus sein, sodass der Halbleiter-Hersteller schon in der zweiten Hälfte des Jahres 2023 mit der Massenfertigung von 2 nm-Chips im GAA-Verfahren (gate-all-around) beginnen soll. Bis dahin wird das Unternehmen aber bei FinFET bleiben, und zwar auch für den nächsten Schritt, nämlich N3 bzw. 3 nm, bei dem die Massenproduktion in der zweiten Hälfte des Jahres 2022 starten soll.

Wenn alles nach Plan läuft wird Samsung dem größten Halbleiter-Konkurrenten damit um ein Jahr voraus sein, das Unternehmen will nämlich bereits im nächsten Jahr mit seiner hauseigenen 3 nm GAA-Fertigung beginnen. Damit dürften unter anderem Smartphone-SoCs, Grafikchips und Prozessoren in den nächsten Jahren deutlich effizienter werden.

Berichten zufolge wird der Qualcomm Snapdragon 875 bei Samsung im 5 nm-Verfahren hergestellt werden, während der Apple A14 Bionic auf TSMCs 5 nm FinFET-Verfahren zurückgreifen dürfte. Selbst Intel wird möglicherweise einige Prozessoren bei TSMC fertigen lassen, nachdem die hauseigene 7 nm-Produktion nicht wie ursprünglich geplant Ende 2021 anlaufen soll, sondern möglicherweise erst im Jahr 2023.

Schlecht sieht es dagegen für Huawei aus: Durch den Handelskrieg zwischen den USA und China wurde das Unternehmen vorläufig komplett von der Chip-Produktion abgeschnitten, die hauseigene Produktion hängt derzeit bei 45 nm, während selbst Chinas größter Halbleiter-Hersteller voraussichtlich erst bis 2025 in einem 7 nm EUV-Verfahren fertigen kann.