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TSMCs 2 nm GAA-Fertigung ist ihrem Zeitplan voraus

Ein Nachfolger dieses 7 nm AMD RDNA-Chip könnte durch TSMCs 2 nm-Verfahren schon in wenigen Jahren deutlich effizienter arbeiten. (Bild: Fritchens Fritz)
Ein Nachfolger dieses 7 nm AMD RDNA-Chip könnte durch TSMCs 2 nm-Verfahren schon in wenigen Jahren deutlich effizienter arbeiten. (Bild: Fritchens Fritz)
Während die 10 nm-Fertigung bei Intel gerade erst so richtig anläuft berichten Quellen aus der Versorgungskette, dass TSMC bereits intensiv an seiner 2 nm GAA-Fertigung arbeitet und dabei dem eigenen Zeitplan voraus ist, Prozessoren und Grafikchips könnten damit schon bald deutlich effizienter werden.
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Einem neuen Bericht von DigiTimes zufolge soll TSMC dem eigenen Zeitplan voraus sein, sodass der Halbleiter-Hersteller schon in der zweiten Hälfte des Jahres 2023 mit der Massenfertigung von 2 nm-Chips im GAA-Verfahren (gate-all-around) beginnen soll. Bis dahin wird das Unternehmen aber bei FinFET bleiben, und zwar auch für den nächsten Schritt, nämlich N3 bzw. 3 nm, bei dem die Massenproduktion in der zweiten Hälfte des Jahres 2022 starten soll.

Wenn alles nach Plan läuft wird Samsung dem größten Halbleiter-Konkurrenten damit um ein Jahr voraus sein, das Unternehmen will nämlich bereits im nächsten Jahr mit seiner hauseigenen 3 nm GAA-Fertigung beginnen. Damit dürften unter anderem Smartphone-SoCs, Grafikchips und Prozessoren in den nächsten Jahren deutlich effizienter werden.

Berichten zufolge wird der Qualcomm Snapdragon 875 bei Samsung im 5 nm-Verfahren hergestellt werden, während der Apple A14 Bionic auf TSMCs 5 nm FinFET-Verfahren zurückgreifen dürfte. Selbst Intel wird möglicherweise einige Prozessoren bei TSMC fertigen lassen, nachdem die hauseigene 7 nm-Produktion nicht wie ursprünglich geplant Ende 2021 anlaufen soll, sondern möglicherweise erst im Jahr 2023.

Schlecht sieht es dagegen für Huawei aus: Durch den Handelskrieg zwischen den USA und China wurde das Unternehmen vorläufig komplett von der Chip-Produktion abgeschnitten, die hauseigene Produktion hängt derzeit bei 45 nm, während selbst Chinas größter Halbleiter-Hersteller voraussichtlich erst bis 2025 in einem 7 nm EUV-Verfahren fertigen kann.

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Hannes Brecher
Hannes Brecher - Senior Tech Writer - 6559 Artikel auf Notebookcheck veröffentlicht seit 2018
Seit dem Jahr 2009 schreibe ich für unterschiedliche Publikationen im Technologiesektor, bis ich im Jahr 2018 zur News-Redaktion von Notebookcheck gestoßen bin. Seitdem verbinde ich meine langjährige Erfahrung im Bereich Notebooks und Smartphones mit meiner lebenslangen Leidenschaft für Technologie, um unsere Leser über neue Entwicklungen am Markt zu informieren. Mein Design-Hintergrund als Art Director einer Werbeagentur erlaubt mir darüber hinaus tiefe Einblicke in die Eigenheiten dieser Branche.
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Autor: Hannes Brecher, 21.09.2020 (Update: 21.09.2020)