Qualcomm Snapdragon 435 vs Mediatek Helio P25

Qualcomm Snapdragon 435

Der Qualcomm Snapdragon 435 (SD435) ist ein unterer Mittelklasse SoC für (Android basierende) Smartphones und Tablets. Er wird im Gegensatz zum Snapdragon 630 noch in 28 nm gefertigt und bietet ebenfalls einen ARM Cortex-A53 Octa-Core Prozessorteil. Dieser ist jedoch nur mit bis zu 1,4 GHz getaktet. Das Integrierte X9 LTE Modem unterstützt Cat. 7 und dadurch maximal 300 Mbps Download und 100 Mbps Upload. Weiters ist eine Adreno 505 Grafikkarte integriert mit Support für Vulkan und OpenGL ES 3.1. WLAN wir 802.11ac unterstützt und Bluetooth in der Version 4.1. Der Speicherkontroller unterstützt LPDDR3 mit 800 MHz (daher wahrscheinlich Dual-Channel DDRL-1600). 

Mediatek Helio P25

Der Mediatek Helio P25 ist ein ab Q1 2017 vorgestellter ARM-SoC (System-on-a-Chip) der oberen Mittelklasse, der sowohl in Smartphones als auch Tablets (hauptsächlich Android) eingesetzt werden kann. Er wird in 16 FinFET+ Nanometern gefertigt und verfügt über acht CPU-Kerne auf Basis der 64-Bit-fähigen Cortex-A53-Architektur, die mit maximal 2,6 GHz takten (Performance Cluster mit 4 Kernen). Im Vergleich zum Helio P20, takten die vier Performance-Kerne um 400 Mhz höher. Der Stromspar Cluster mit ebenfalls vier Kernen taktet mit maximal 1,6 GHz. Beide Cluster unterstützen Heterogeneous Multi-Processing und können daher gleichzeitig laufen. Die Grafikeinheit namens ARM Mali-T880 MP2 bietet zwei Cluster bei 1000 MHz. Weiterhin integriert sind ist ein LTE-Cat-6-Modem.

Prozessor

Der Cortex-A53 kann als Nachfolger des beliebten Cortex-A7-Designs betrachtet werden. Neben der von 32 auf 64 Bit verbreiterten Prozessorarchitektur (ARMv8-ISA), die unter anderem die Adressierung von mehr als 4 GB Arbeitsspeicher erlaubt, wurden auch weitere Details wie die Sprungvorhersage optimiert. Insgesamt steigt die Pro-MHz-Leistung dadurch deutlich an und liegt sogar etwas oberhalb eines Cortex-A9-Kernes. Die acht Kerne des P25 takten mit bis zu 2,6 GHz.

Leistungsaufnahme

Der Helio P25 wird in 16-Nanometer-Technik bei TSMC (FinFET+) gefertigt und sollte unter Last eine mittelhohe Leistungsaufnahme aufweisen.